[发明专利]LDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610140102.9 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1941416A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 高哲柱 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件包括形成在第一导电型衬底中的第二导电型埋层。在埋层中形成第一导电型第一阱，且在第一阱上形成两侧具有栅极绝缘层的场绝缘体。在场绝缘体一侧上形成第一导电型第二阱，且在其中形成源极区。在场绝缘体另一侧形成隔离的漏极区。在源极区上的栅极绝缘层上形成栅极，在场绝缘体的一部分上形成第一场极板，并与栅极连接。在场绝缘体的另一部分上形成第二场极板，且与第一场极板相隔离。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散MOS器件，包括：埋层，其形成在第一导电型衬底中，且掺杂有第二导电型杂质；第一阱，其形成在所述埋层中，并掺杂有第一导电型杂质；场绝缘体，形成在所述第一阱的表面上；栅极绝缘层，形成于所述第一阱在所述场绝缘体两侧的表面上；第二阱，其形成在位于所述场绝缘体一侧的所述第一阱中，并掺杂有所述第一导电型杂质；源极区，形成在所述第二阱的表面中；漏极区，其与所述源极区隔离，且形成于所述第一阱在所述场绝缘体另一侧的表面中；栅极，形成在所述源极区上的所述栅极绝缘层上；第一场极板，其形成在所述场绝缘体的预定部分上，并与所述栅电极连接；以及第二场极板，其形成在所述场绝缘体的另一预定部分上，并与所述第一场极板相隔预定的间隔。
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