[发明专利]Ⅲ－氮化物基顶发射型光发射装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610140375.3 | 申请日： | 2006-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1949551A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 宋俊午 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物基顶发射型光发射装置及其制造方法。该光发射装置包括n－氮化物基包层、p－氮化物基包层、氮化物基有源层、以及多p－欧姆接触层。该多p－欧姆接触层包括至少一对欧姆改性层－透明导电层。该欧姆改性层包括多晶氮化物层或非晶氮化物层，其使氮(N)与铝(Al)、铟(In)和镓(Ga)中的至少一种化合。该欧姆改性层以微滴或薄膜的形式制备。孔或点形成在该多晶氮化物层或该非晶氮化物层上，从而提供该多p－欧姆接触层以光子晶体效应。该光发射装置表现出良好的电流－电压特性和较高的透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物基顶发射型光发射装置包括：n-氮化物基包层；p-氮化物基包层；置于该n-氮化物基包层和该p-氮化物基包层之间的氮化物基有源层；和层叠在该p-氮化物基包层上的多p-欧姆接触层，其中该多p-欧姆接触层包括至少一对欧姆改性层-电流扩布层，该欧姆改性层不是氮化物基外延层，而是使氮(N)与铝(Al)、铟(In)和镓(Ga)中至少一种化合的多晶氮化物层或非晶氮化物层，并且当欧姆改性层经历退火工艺时该欧姆改性层具有新的相使得该欧姆改性层通过与层叠在该欧姆改性层上的该电流扩布层的化学反应容易地形成p-欧姆接触。
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