[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610140399.9 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979888A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 谷本智 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/872;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;权鲜枝 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体装置及其制造方法，该碳化硅半导体装置包括：1)碳化硅衬底；2)硅化物电极，通过以引起固相反应的方式将接触母体材料沉积在该碳化硅衬底上而形成该硅化物电极，该硅化物电极是低碳含量硅化物电极，包括：i)硅，以及ii)摩尔数小于硅的碳；以及3)沉积在该硅化物电极上的上部导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，包括：1)碳化硅衬底；2)硅化物电极，通过以引起固相反应的方式将接触母体材料沉积在该碳化硅衬底上而形成该硅化物电极，该硅化物电极是低碳含量硅化物电极，包括：i)硅，以及ii)摩尔数小于硅的碳；以及3)沉积在该硅化物电极上的上部导体膜。
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