[发明专利]半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法无效
| 申请号： | 200610140721.8 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154637A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 苏炎坤;陈冠群;林俊良;黄金泉;胡舒凯 | 申请（专利权）人： | 苏炎坤;陈冠群;林俊良;黄金泉;胡舒凯 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾台南市东*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法。本半导体元件的嵌入式金属散热座至少包括：一金属薄层，具有相对的第一表面以及第二表面，其中至少一半导体元件嵌设在金属薄层的第一表面中，且半导体元件具有电性相反的二电极；一金属散热座，接合于金属薄层的第二表面；以及二电极垫，设在半导体元件周围的金属薄层的第一表面上，并分别对应于上述的电极，其中这些电极通过至少二导线而分别与对应的电极垫电性连接，且这些电极垫与一外部电路电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 嵌入式 金属 散热 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的嵌入式金属散热座，其特征在于，至少包括：一金属薄层，具有相对的一第一表面以及一第二表面，其中至少一半导体元件嵌设在该金属薄层的该第一表面中，且该半导体元件具有电性相反的二电极；一金属散热座，接合于该金属薄层的该第二表面；以及二电极垫，设在该半导体元件周围的该金属薄层的该第一表面上，并分别对应于该电极，其中该电极通过至少二导线而分别与对应的该电极垫电性连接，且该电极垫与一外部电路电性连接。
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