[发明专利]半导体元件及其形成方法无效
| 申请号： | 200610141051.1 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101043052A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吴成堡;曾健庭;汤乾绍 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其形成方法，包括：一栅极电极以及接近该栅极电极的一源极区与一漏极区。一硅化区位于该栅极电极、该源极区或该漏极区的顶部表面上。一非硅化区，邻近该硅化区并位于该栅极电极、该源极区或该漏极区顶部表面的边缘。本发明所述的半导体元件及其形成方法，改善了传统硅化制程所产生的问题，避免硅化物形成在栅极电极以及/或源极及漏极的边缘，从而使漏电流降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：一栅极电极；一源极区以及一漏极区，分别位于该栅极电极的外侧；一硅化区，位于该栅极电极、该源极区或该漏极区之上；以及一非硅化区，相邻于该硅化区，位于该栅极电极、该源极区或该漏极区顶部表面边缘区之上。
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