[发明专利]半导体存储器件中的延迟锁定操作有效
| 申请号： | 200610141229.2 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1945733A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 崔勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C11/4076;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件具有可以在各种运行模式中恰当地控制延迟锁定回路的控制电路。该半导体存储器件包括时钟缓冲器，用于从外部接收系统时钟并作为内部时钟输出，延迟锁定回路单元，用于控制该内部时钟的延迟以使数据输出时间与系统时钟同步，数据输出缓冲器，用于将数据与延迟锁定内部时钟同步，由此输出该数据，以及时钟缓冲器控制单元，用于响应前运行状态而产生控制时钟缓冲器的开/关转换的启动信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 中的 延迟 锁定 操作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：时钟缓冲器，用于接收外部系统时钟并作为内部时钟输出；延迟锁定回路单元，用于控制该内部时钟的延迟以使数据输出时间与系统时钟同步；数据输出缓冲器，用于将数据与延迟锁定内部时钟同步，由此输出该数据；以及时钟缓冲控制单元，用于响应前运行状态而产生控制时钟缓冲器的开/关转换的启动信号。
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