[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610141243.2 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1941438A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 铃木真理子;小野富男;酒井忠司;佐久间尚志;吉田博昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供发光效率高、减少了发热的半导体发光元件。该半导体发光元件的特征在于具备：第1半导体层(3)；配置在第1半导体层上的折射率比第1半导体层(3)小的发光层(4)；配置在发光层(4)上的折射率比发光层(4)小的第2半导体层(5)；连接到第1半导体层(3)和第2半导体层(5)的向发光层(4)供给电流的金属电极(6a)、(6b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层；配置在上述第1半导体层上的折射率比上述第1半导体层小的发光层；配置在上述发光层上的折射率比上述发光层小的第2半导体层；连接到上述第1半导体层和上述第2半导体层的向上述发光层供给电流的金属电极。
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