[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610141386.3 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1988144A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 太田行俊;永井纪行;滨谷毅 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件，在这种具有用镶嵌法形成的布线的多层布线结构的半导体器件中，至少一部分电极焊盘将具有处理与外部的电连接用的区域的第1导电层(5)，形成在多层布线结构中半导体衬底(1)上必不可少的钝化膜(4)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，其多层布线结构在半导体衬底上具有多个层间绝缘膜、用镶嵌法形成的布线、以及与外部电连接用的电极焊盘，所述电极焊盘的至少一部分在所述半导体衬底上的钝化膜上形成具有与所述外部的电连接用的区域的第1导电层，并且在紧接于所述钝化膜的下方形成具有多条所述布线的第2导电层，所述第2导电层的所述布线的至少一部分以非电连接状态在所述半导体衬底的垂直方向与所述第1导电层重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610141386.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
