[发明专利]金凸点或金配线的形成方法有效

专利信息
申请号: 200610141428.3 申请日: 2006-09-29
公开(公告)号: CN1940147A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 中村宏 申请(专利权)人: 恩伊凯慕凯特股份有限公司
主分类号: C25D3/48 分类号: C25D3/48;C25D7/12;H01L21/288;H01L21/445
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王健
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供抑制起因于不均匀膜厚的钝化膜产生的镀金的层错,能够形成平坦的金被膜的金凸点或金配线的金凸点或金配线的形成方法。金凸点或金配线的形成方法,其特征在于:是在形成了图形的晶片上,使用非氰系电解镀金浴或氰系电解镀金浴进行电解镀金的金凸点或金配线的形成方法;在晶片上的电解镀金包括在0.1A/dm2以下的电流密度下进行至少1次电解镀金的工序1、和在0.3~1.2A/dm2的电流密度下进行至少1次电解镀金的工序2;在晶片上进行镀金使工序1的合计电镀厚度为0.1~5μm,工序1与工序2的合计电镀厚度为所期望的电镀厚度。
搜索关键词: 金凸点 金配线 形成 方法
【主权项】:
1.金凸点或金配线的形成方法,其特征在于:是使用含有作为金源的亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵、作为稳定剂的水溶性胺、结晶调节剂、作为传导盐的亚硫酸盐和硫酸盐、以及缓冲剂的非氰系电解镀金浴,在形成了图形的晶片上进行电解镀金的金凸点或金配线的形成方法;包括在晶片上以0.1A/dm2以下的电流密度进行至少1次电解镀金的工序1、和以0.3~1.2A/dm2的电流密度进行至少1次电解镀金的工序2;在晶片上进行镀金使工序1的合计电镀厚度为0.1~5μm,工序1与工序2的合计电镀厚度为所期望的电镀厚度。
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