[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610141505.5 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1941393A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 黄俊 | 申请（专利权）人： | 东部电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种CIS及其制造方法。该CIS包括器件隔离层，形成在第一导电类型的衬底的器件隔离区上，该衬底包括有源区和器件隔离区，该有源区包括光电二极管区和晶体管区；第一导电类型的高浓度扩散区，围绕器件隔离层而形成；栅电极，形成在衬底的有源区上，在其中间插入栅绝缘层；第二导电类型的低浓度扩散区，形成在光电二极管区上并距离器件隔离层预设距离；以及第二导电类型的高浓度扩散区，形成在晶体管区上。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CIS(互补金属氧化物硅图像传感器)，包括：第一导电类型的衬底，具有器件隔离区和有源区，有源区包括光电二极管区和晶体管区；器件隔离层，形成在衬底的器件隔离区上；高浓度第一导电类型扩散区，围绕器件隔离层而形成；栅电极，形成在衬底的有源区上，在其中间插入栅绝缘层；低浓度第二导电类型扩散区，形成在光电二极管区上与器件隔离层分开预设距离；以及高浓度第二导电类型扩散区，形成在晶体管区上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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