[发明专利]制造相变随机存取存储器的方法有效
| 申请号： | 200610141682.3 | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1996572A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 姜闰浩;李相睦;卢振瑞;申雄澈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/24;H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 相变 随机存取存储器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造相变随机存取存储器的方法，包括：在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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