[发明专利]磁记录头中的自对准线圈工艺无效
| 申请号： | 200610142002.X | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101025922A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 林天洛;戴维·K·李;李显邦;施常青 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及具有自对准线圈的记录头。在本发明一实施例中，写头包括：第一极P1；P1基座；镀在所述第一极P1上的第一背间隙层，留下所述P1基座与所述第一背间隙层之间的区域用于镀线圈；应用在所述P1基座和所述第一背间隙层以及所述P1基座与所述第一背间隙层之间的区域上的第一绝缘层。该写头还包括：线圈，至少部分地构图在所述P1基座和所述第一背间隙层以及所述P1基座与所述第一背间隙层之间的区域上，铜镀在所述线圈图案中；以及第二绝缘层，应用来填充所述线圈匝之间的所述空间。所得结构通过化学机械抛光被平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 中的 对准 线圈 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制造写头的方法，包括：在第一极P1上形成P1基座和第一背间隙层，留下其间的区域用于形成线圈，所述第一背间隙层形成在所述第一极P1的远端；沉积第一绝缘层，其设置在所述P1基座、所述第一极P1和所述第一背间隙层的至少一部分以及所述区域之上；通过在形成于线圈光致抗蚀剂层中的线圈袋中沉积铜来形成线圈，所述线圈光致抗蚀剂层沉积在所述第一绝缘层之上，其中所述线圈具有多匝；去除所述线圈光致抗蚀剂层从而在所述线圈匝之间形成空间；以及应用第二绝缘层从而填充所述线圈匝之间的空间。
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