[发明专利]半导体存储器及其操作方法无效
| 申请号： | 200610142030.1 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1941202A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | K·塞德尔;D·里希特 | 申请（专利权）人： | 奇梦达闪存有限责任两合公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种对包含多个存储单元的半导体存储器进行操作的方法，其中各存储单元彼此相邻地设置，此配置以第一存储单元开始，并以最后的存储单元结束，每个存储单元具有第一侧和第二侧，各存储单元在存储单元的第一侧被一位线连接且在此存储单元的第二侧被另一位线连接，存储单元的第一侧与相邻存储单元的第二侧被连接到同一个位线，每个存储单元被同一个字线连接，此方法包含下列步骤：选择用来操作的存储单元，将第一电位施加到连接于设置在此存储单元的第一侧的各存储单元的所有位线，将第二电位施加到连接于设置在此存储单元的第二侧的各存储单元的所有位线，以及对此存储单元执行所希望的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种对包含多个存储单元(MC)的半导体存储器(M)进行操作的方法，其中-各存储单元(MC)彼此相邻地设置，-此配置以第一存储单元(MF)开始，并以最后的存储单元(LF)结束，-每一存储单元(MC)具有第一侧(S)和第二侧(D)，-各存储单元(MC)在存储单元的第一侧(S)被一位线(BL)连接且在此存储单元的第二侧(D)被另一位线(BL)连接，-存储单元的第一侧(S)与相邻存储单元的第二侧(D)被连接到同一个位线(BL)，-每个存储单元(MC)被同一个字线(WL)连接，此方法包含下列步骤：-选择用来操作的存储单元(MC)，-将第一电位(VS)施加到连接于设置在此存储单元的第一侧(S)的各存储单元(MC)的所有位线(BL)，-将第二电位(VD)施加到连接于设置在此存储单元的第二侧(D)的各存储单元(MC)的所有位线(BL)，以及-对此存储单元(MC)执行所希望的操作。
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