[发明专利]半导体存储器件和制造方法

摘要

字线的最后部分以交错的方式来设置以便成扇状散开，并具有比字线更大的横向延伸。间隙填充有介电材料，并施加掩模，其部分地覆盖最后部分，并留下与最后部分以及间隙开口相邻的区域中的接触区域。使用该掩模来去除字线堆叠之间的介电材料。第二字线被施加并被平坦化，以在第一字线之间形成第二字线，其具有以交错方式设置以便成扇状散开的接触区域，类似第一字线的最后部分。

主权项

1、半导体存储器件，包括：具有主表面的衬底；设置在所述主表面的存储单元阵列，所述阵列具有边缘；跨越所述阵列平行设置并被提供用以寻址所述存储单元的导体轨道；所述导体轨道在所述表面上具有纵向延伸和横向尺寸，并通过介电材料彼此分开；所述导体轨道设置有具有横向于所述纵向延伸的尺寸的接触区域，其大于所述横向尺寸；所述导体轨道被细分成多个，其包括每隔一个的导体轨道；相同多个的导体轨道的所述接触区域设置在存储单元阵列的同一边缘上；所述多个中的至少一个的导体轨道的所述接触区域在所述纵向延伸方向上以交错的方式设置；以及所述至少一个多个的所述接触区域沿横向于所述纵向延伸的方向偏移到由相关导体轨道的区域沿所述纵向延伸方向的直线延长所限定的区域以外。