[发明专利]薄膜晶体管、TFT阵列基板、液晶显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610142087.1 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1945855A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 田中宏明 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层(每一层都直接或间接形成在绝缘基板上)，和形成在钝化层上的导电层。该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接。钝化层具有包括至少堆叠的第一子层和第二子层的多层结构，第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率。第一子层比第二子层更接近于基板设置。第二子层具有等于或小于导电层的厚度。在蚀刻工艺中，可以很好地控制钝化层和底层栅绝缘层的形状或结构，并且防止形成在钝化层上的导电层被分割开。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 tft 阵列 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层，每一层都直接或间接形成在绝缘基板上；以及形成在钝化层上的导电层，该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接；其中钝化层具有至少包括堆叠的第一子层和第二子层的多层结构，该第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率；第一子层比第二子层更接近于基板设置；以及第二子层具有等于或小于所述导电层的厚度。
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