[发明专利]具有改良金属布线的半导体器件无效
| 申请号： | 200610142115.X | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1945824A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 齐藤和美 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底、层间绝缘膜、钨膜、第一阻挡金属膜、第二阻挡金属膜以及金属布线膜。层间绝缘膜形成在半导体衬底上，并且具有开口。钨膜被嵌入在开口中。第一阻挡金属膜形成在钨膜上，并且不包括Ti膜。第二阻挡金属膜形成在第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜。金属布线膜形成在第二阻挡金属膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 金属 布线 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底上，并且具有开口；钨膜，其嵌入在所述开口中；第一阻挡金属膜，其形成在所述钨膜上，并且不包括Ti膜；第二阻挡金属膜，其形成在所述第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜；以及金属布线膜，其形成在所述第二阻挡金属膜上。
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