[发明专利]化合物半导体装置用基板和使用该基板的化合物半导体装置无效
| 申请号： | 200610142163.9 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1941405A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 小宫山纯;阿部芳久;铃木俊一;中西秀夫 | 申请（专利权）人： | 东芝陶瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供破坏电压高且能量损耗少、适合在高电子迁移率晶体管等中使用的化合物半导体装置用基板以及使用该基板的化合物半导体装置。该化合物半导体装置用基板是在晶面方位{111}、载流子浓度1016－1021/cm3、n型的Si单晶基板2上依次层合载流子浓度为1016－1021/cm3、n型的3C－SiC单晶缓冲层3；六方晶GaxAl1－xN单晶缓冲层(0≤x＜1)4；载流子浓度为1011－1016/cm3、n型的六方晶GayAl1－yN单晶层(0.2≤y≤1)5；载流子浓度为1011－1016/cm3、n型的六方晶GazAl1－zN单晶载流子供给层(0≤z≤0.8且0.2≤y－z≤1)6，并在上述基板2的背面形成背面电极7、在上述载流子供给层6的表面形成表面电极8。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 用基板 使用 | ||
【主权项】：
1.化合物半导体装置用基板，其特征在于：在Si单晶基板上至少形成厚度为100nm以上的3C-SiC层和高电子迁移率晶体管结构。
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