[发明专利]研磨方法、研磨用组合物以及研磨用组合物套装无效
| 申请号： | 200610142185.5 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1939663A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 清水干和 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;H01L21/304;H01L21/306;C09G1/02;C09G1/04;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;董红曼 |
| 地址： | 日本国爱知县清须*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对设置在含有分离区域的硅板上的多晶硅膜进行研磨的本发明的研磨方法，具有：使用含有磨粒、碱、水溶性高分子和水的预研磨用组合物，对多晶硅膜进行研磨，直至露出分离区域上表面的一部分的预研磨工序；用含有磨粒、碱、水溶性高分子和水的最终研磨用组合物，对预研磨后的多晶硅膜进行研磨，直至露出分离区域全部上表面的最终研磨工序。预研磨用组合物中的水溶性高分子的含量为0.0075～0.05％(质量)，最终研磨用组合物中的水溶性高分子的含量为0.002～0.01％(质量)。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 组合 以及 套装 | ||
【主权项】：
1.对设置在含有分离区域的硅板上的多晶硅膜进行研磨的研磨方法，其特征在于，该方法具有：用含有磨粒、碱、水溶性高分子和水的预研磨用组合物，对多晶硅膜进行预研磨，直至露出分离区域上表面的一部分的预研磨工序；用含有磨粒、碱、水溶性高分子和水的最终研磨用组合物，对预研磨后的多晶硅膜进行最终研磨，直至露出全部分离区域上表面的最终研磨工序，上述预研磨用组合物中的水溶性高分子的含量为0.0075～0.05质量％，上述最终研磨用组合物中的水溶性高分子的含量为0.002～0.01质量％。
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