[发明专利]图形形成方法和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610142247.2 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1924702A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 近藤丈博;盐原英志;竹石知之;千叶谦治;伊藤信一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种图形形成方法，其特征在于，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序；对上述第1抗蚀剂图形的表面进行亲水化处理的工序；对上述衬底的表面进行疏水化处理的工序；在上述衬底和上述第1抗蚀剂图形的上边，形成含有交联剂的抗蚀剂膜的工序；使得在上述第1抗蚀剂图形和上述抗蚀剂膜之间的界面上发生交联反应，在上述第1抗蚀剂图形与上述抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和上述第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序。
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