[发明专利]相变随机存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610142347.5 | 申请日： | 2006-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101030593A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 卢振瑞;金基俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了具有改进的结构以改善相变材料层的附着的相变存储器，以及该存储器的制造方法。该相变存储器包括开关装置以及连接到该开关装置的存储节点，该存储节点包括底部电极、顶部电极、夹置在该底部电极和该顶部电极之间的相变材料层、以及夹置在该底部电极和该相变材料层之间的附着界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器，包括：开关装置；以及连接到所述开关装置的存储节点，所述存储节点包括：底部电极、顶部电极、夹置在所述底部电极和所述顶部电极之间的相变材料层、以及夹置在所述底部电极和所述相变材料层之间的附着界面层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
