[发明专利]锗基半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610142352.6 | 申请日： | 2006-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1956147A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 马丁·M·弗兰克;史蒂文·J·凯斯特;尚慧玲;约翰·A·奥特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种方法和结构，其中可以获得诸如FET和MOS电容器的Ge基半导体器件。具体地，本发明提供一种形成包括位于含Ge材料(层或晶片)上和/或内的堆叠的半导体器件的方法，所述堆叠包括电介质层和导电材料，其中所述含Ge材料的表面富含非氧硫属元素。通过提供富含非氧硫属元素的界面，电介质生长期间和之后不期望的界面化合物的形成被抑制且界面陷阱密度被减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：用至少一种含非氧硫属元素的材料处理含Ge材料的表面从而形成富含非氧硫属元素的表面；在所述富含非氧硫属元素的表面上形成电介质层，从而富含非氧硫属元素的界面位于所述含Ge材料与所述电介质层之间；以及在所述电介质层上形成导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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