[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在半导体基板(1)上形成STI(7)的形成方法中，在半导体基板上形成保护氧化膜，在保护氧化膜上形成硅氮化膜，通过照相平版法和干式蚀刻，将硅氮化膜和保护氧化膜贯穿，并除去半导体基板的一部分以形成沟槽部，在沟槽部和硅氮化膜上形成掩埋氧化膜，通过CMP除去硅氮化物膜上的掩埋氧化膜和硅氮化膜的表面部，通过湿式蚀刻除去沉积在沟槽部的掩埋氧化膜的一部分。本发明可以提供一种使在微细结构的半导体装置中的STI台阶高差一致的STI的制造方法。

主权项

1、一种在半导体基板上形成浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，在半导体基板上形成保护氧化膜，并在所述保护氧化膜上形成硅氮化膜；通过照相平版法和干式蚀刻，将所述硅氮化膜和所述保护氧化膜贯穿，并除去所述半导体基板的一部分以形成沟槽部；在所述沟槽部和所述硅氮化膜上形成掩埋氧化膜；通过化学机械抛光以除去所述硅氮化物膜上的掩埋氧化膜和所述硅氮化膜的表面部分；通过湿式蚀刻除去沉积在所述沟槽部的掩埋氧化膜的一部分。