[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610142391.6 | 申请日： | 2006-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1949606A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 松山隆之;小野村正明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化物半导体发光器件，其特征在于：具备氮化镓衬底和在上述氮化镓衬底上设置的包含发光层的氮化物半导体的多层膜，上述氮化镓衬底和上述多层膜分别构成由同一劈开面形成的激光出射侧端面和由同一劈开面形成的激光反射侧端面，在上述激光出射侧端面上设置了包含第1氮化硅层的第1膜，在上述激光反射侧端面上设置了包含第2氮化硅层和交替地层叠在上述第2氮化硅层上设置的氧化物层与氮化硅层的层叠膜的第2膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于：具备氮化镓衬底和在上述氮化镓衬底上设置的包含发光层的氮化物半导体的多层膜，上述氮化镓衬底和上述多层膜分别构成由同一劈开面形成的激光出射侧端面和由同一劈开面形成的激光反射侧端面，在上述激光出射侧端面上设置了包含第1氮化硅层的第1膜，在上述激光反射侧端面上设置了包含第2氮化硅层和交替地层叠在上述第2氮化硅层上设置的氧化物层与氮化硅层的层叠膜的第2膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610142391.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
