[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610142449.7 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1956222A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 赤松晋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种驱动力高的半导体装置。在半导体装置(11)的活性区域(10)形成有栅绝缘膜(13)及栅电极(14)。在栅电极(14)的侧面上形成有具有L字型的剖面形状的侧壁(16)。在半导体衬底(11)中位于栅电极(14)及侧壁(16)的外侧的区域形成有源·漏区域(18)。在栅电极(14)的上面上及侧壁的表面上形成有具有应力的应力衬垫膜(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有金属绝缘体半导体晶体管，其中，所述金属绝缘体半导体晶体管具备：第一栅绝缘膜，形成在半导体衬底上；第一栅电极，形成在所述第一栅绝缘膜上；第一侧壁，由绝缘膜构成，所述绝缘膜从所述第一栅电极的侧面上延伸于所述半导体衬底的上面上而形成，且具有L字型的剖面形状；第一源·漏区域，形成在所述半导体衬底中位于所述第一栅电极及所述第一侧壁的外侧区域下方的区域；绝缘膜，覆盖在所述第一栅电极的上方及所述第一侧壁上，且具有应力。
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