[发明专利]采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元有效
| 申请号： | 200610142513.1 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1983449A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 约翰·M·凯兰汉;海曼苏·T·弗恩肯;迈克尔·D·凡斯尔;格伦·A·罗森达尔;哈利·S·伦;刘仲尚 | 申请（专利权）人： | 克劳帕斯科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/12 | 分类号： | G11C17/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 戴建波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于形成在存储器阵列中的可编程存储单元，该存储器阵列设有列位线与行字线。该存储单元包括一击穿晶体管，该击穿晶体管的门电路连接到一编程字线，以及一写晶体管，该写晶体管在一感测节点与击穿晶体管串联。该写晶体管的门电路连接到一写字线。进一步地，一第一感测晶体管的门电路连接到感测节点。一第二感测晶体管与第一感测晶体管串联，该第二感测晶体管的门电路连接到一读字线，该第二感测晶体管的源极连接到一列位线。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 门电路 击穿 现象 3.5 晶体管 非逸失性 存储 单元 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成在存储器阵列中的可编程存储单元，该存储器阵列设有列位线与行字线，其包括：一击穿晶体管，该击穿晶体管的门电路连接到一编程字线；一写晶体管，该写晶体管在一感测节点与所述击穿晶体管串联，所述写晶体管的门电路连接到一写字线；一第一感测晶体管，该第一感测晶体管的门电路连接到所述感测节点；以及一第二感测晶体管，该第二感测晶体管与所述第一感测晶体管串联，该第二感测晶体管的门电路连接到一读字线，所述的第二感测晶体管的源极连接到一列位线。
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