[发明专利]包括底材、门电路介质层和一氮化钛门电路的元件无效
| 申请号： | 200610142523.5 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1937253A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | B·A·瓦尔茨特拉 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L27/02;H01L21/316;H01L21/285;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种式Si(OR) 4的硅前体化合物与一种或多种式M(NR’R”) 4的锆和/或铪前体化合物(其中R、R’和R”各自独立为有机基团，M为锆或铪)在底材(特别是半导体底材或底材组件)上形成含锆和/或铪层的方法及装置。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 门电路 介质 氮化 元件 | ||
【主权项】：
1.一种元件，其中包括：一种底材；一种在所述底材上的门电路介质层，其中所述门电路介质层包括硅酸铪；和一种在所述门电路上的一氮化钛门电路。
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