[发明专利]四乙基正硅酸盐(TEOS)氧化物于集成电路工艺中的应用无效
| 申请号： | 200610142544.7 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1996558A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李代萍;芭芭拉·海希顿 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/311;H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 新加坡608840*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种制造用于图案化与蚀刻的低温可去除二氧化硅硬式罩幕的方法，其中采用四乙基正硅酸盐(TEOS)以沉积二氧化硅硬式罩幕。 | ||
| 搜索关键词： | 乙基 硅酸盐 teos 氧化物 集成电路 工艺 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种图案化半导体元件的方法，其特征是包括：提供半导体基材；形成第一层于该半导体基材上；通过化学气相沉积法于摄氏150度至250度的温度下、由四乙基正硅酸盐(tetra-ethyl-ortho-silicate，TEOS)沉积TEOS硅氧化物层于该半导体基材上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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