[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法无效
| 申请号： | 200610142554.0 | 申请日： | 2006-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1967879A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王世辰;陈信铭;卢俊宏;何明洲;沈士杰;徐清祥 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器设置于第一导电型基底上，其具有栅极、第二导电型漏极区、电荷储存层以及第二导电型第一淡掺杂区。栅极设置于第一导电型基底上。第二导电型漏极区设置于栅极的第一侧的第一导电型基底中。电荷储存层设置于栅极的第一侧的第一导电型基底上，且位于第二导电型漏极区与栅极之间。第二导电型第一淡掺杂区设置于栅极的第二侧的第一导电型基底中，其中第二侧与第一侧相对。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性存储器，包括：第一存储单元，设置于第一导电型基底，该第一存储单元包括：栅极，设置于该第一导电型基底上，第二导电型漏极区，设置于该栅极的第一侧的该第一导电型基底中；电荷储存层，设置于该栅极的该第一侧的该第一导电型基底上，且位于该第二导电型漏极区与该栅极之间；以及第二导电型第一淡掺杂区，设置于该栅极的第二侧的该第一导电型基底中，该第二侧与该第一侧相对。
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