[发明专利]相变存储器件及其操作和制造方法

摘要

提供了一种相变存储器件及其操作和制造方法。在包括开关元件和连接至开关元件的存储节点的相变存储器件中，存储节点包括：连接至开关元件的下部电极；形成于下部电极上的相变层；以及形成于相变层上的上部电极，下部电极和上部电极由热电材料构成，热电材料具有高于相变层的熔点，并具有不同的导电类型。下部电极的上表面可以具有凹陷外形，可以在下部电极和相变层之间提供下部电极接触层。此外，相变层的厚度可以是100nm或更低，下部电极可以由n型热电材料构成，上部电极可以由p型热电材料构成，或者将二者的上述成分对调。下部电极、相变层和上部电极的塞贝克系数可以互不相同。

主权项

1.一种包括开关元件和连接至所述开关元件的存储节点的相变存储器件，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关元件的下部电极；形成于所述下部电极上的相变层；以及形成于所述相变层上的上部电极，其中所述下部电极和所述上部电极由热电材料构成，所述热电材料具有高于所述相变层的熔点，并具有不同的导电类型。