[发明专利]电子发射装置无效
| 申请号： | 200610142764.X | 申请日： | 2006-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1959909A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李相祚;李天圭;全祥皓;安商赫;洪秀奉;辛宗训 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J29/04;H01J29/08;H01J29/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;冯敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子发射装置。该电子发射装置包括：第一基底和第二基底，彼此面对；阴极电极，形成在第一基底上；电子发射区，形成在阴极电极上；绝缘层，形成在阴极电极上并被设置有与电子发射区对应的开口；栅电极，形成在绝缘层上并被设置有与电子发射区对应的开口。绝缘层的开口的宽度H1等于或大于绝缘层的厚度T1的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 | ||
【主权项】：
1、一种电子发射装置，包括：第一基底和第二基底，彼此面对；阴极电极，形成在所述第一基底上；电子发射区，形成在所述阴极电极上；绝缘层，形成在所述阴极电极上，并被设置有与所述电子发射区对应的开口；栅电极，形成在所述绝缘层上，并被设置有与所述电子发射区对应的开口，其中，所述绝缘层的开口的宽度H1等于或大于所述绝缘层的厚度T1的两倍。
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