[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610142803.6 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101009250A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 崔升夏;吴旼锡;秦洪基;金湘甲;丁有光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，该方法包括：在衬底上的栅线上方形成半导体层和欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成导电层；在所述导电层上形成第一光敏层图案；使用所述第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述导电层；使用所述第一光敏层图案作为蚀刻掩模，且用含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻所述欧姆接触层和半导体层；除去所述第一光敏层图案到预定厚度，以形成第二光敏层图案；和使用所述第二光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层，以暴露出一部分所述欧姆接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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