[发明专利]具有高分辨率电阻尖端的半导体探针和制造其的方法有效
| 申请号： | 200610142809.3 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101169981A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 丁柱焕;金俊秀;申炯澈;洪承范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;首尔国立大学校产学协力财团 |
| 主分类号： | G12B21/02 | 分类号： | G12B21/02;G11B9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高分辨率 电阻 尖端 半导体 探针 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体探针，包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。
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