[发明专利]氮化物半导体装置及其制作方法无效
| 申请号： | 200610142861.9 | 申请日： | 2006-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101022128A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 引田正洋;柳原学;上田哲三;上本康裕;田中毅 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种能够获得充足电流密度的常非导通型氮化物半导体装置。在衬底(601)上依次形成氮化铝缓冲层(602)、非掺杂的氮化镓层(603)、非掺杂的氮化镓铝层(604)、第一p型氮化镓铝层(605)、第二p型氮化镓铝层(607)、高浓度p型氮化镓层(608)，且栅极电极(611)和高浓度p型氮化镓层进行欧姆接触。在非掺杂的氮化镓铝层上设有源极电极(609)及漏极电极(610)。在栅极区域形成了由非掺杂的氮化镓铝层和非掺杂的氮化镓层之间的界面上产生的2维电子气和第一p型氮化镓铝层及第二p型氮化镓铝层生成的pn结。还有，第二p型氮化镓铝层将氮化硅膜(606)的一部分覆盖住。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体装置，其特征在于：包括：衬底；第一氮化物半导体层，设置在上述衬底的上方；第二氮化物半导体层，设置在上述第一氮化物半导体层的上面，且禁带能量比上述第一氮化物半导体层大；绝缘膜，设置在上述第二氮化物半导体层的上面或者上方，且至少在栅极区域形成了开口部；第三氮化物半导体层，为p型半导体层，以掩埋形成在栅极区域的上述开口部的形态设置在上述第二氮化物半导体层的上面或者上方，并将上述绝缘膜的一部分覆盖住；栅极电极，设置在上述第三氮化物半导体层的上面或者上方。
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