[发明专利]固态成像装置的制造方法以及该固态成像装置无效

专利信息
申请号: 200610142871.2 申请日: 2006-10-27
公开(公告)号: CN1956168A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: 竹内泰郎;驹津智子;寺西信一;桝田知树;原田丰;原田充;大林孝 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L27/148
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王庆海;张志醒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在半导体衬底20中相互分开地形成光接收区21和浮置扩散区22(S11),将半透明粘合剂31涂敷到对应于半导体衬底20上的光接收区21的区域上(S22),和将半透明板30贴附到已经涂敷了半透明粘合剂31的半导体衬底20上(S23)。在该半导体制造工艺中,在涂敷半透明粘合剂31之前,将挡板部件24形成在半导体衬底20上,以防止半透明粘合剂31流入到对应于半导体衬底上的浮置扩散区22的区域中(S18)。
搜索关键词: 固态 成像 装置 制造 方法 以及
【主权项】:
1.一种固态成像装置的制造方法,包括:在半导体衬底中形成相互分离的光接收区和浮置扩散区的形成工艺;在半导体衬底上对应于光接收区的区域中,将半透明粘合剂涂敷到半导体衬底上的涂敷工艺;和使用在涂敷工艺中涂敷的半透明粘合剂将半透明板贴附到半导体衬底上的贴附工艺,其中,另外在形成工艺中,在半导体衬底上形成挡板部件,使得防止在对应于光接收区的区域中涂敷的半透明粘合剂流入到对应于半导体衬底上的浮置扩散区的区域中。
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