[发明专利]包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其方法有效
| 申请号： | 200610142909.6 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1967859A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何家骅 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L27/105;H01L43/08;G11C11/15;G11C11/16;G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种磁性随机存取存储体单元，其包括有磁性金属层、以及邻近于此磁性金属层的磁感测元件。此磁性金属层的一端耦接至一字线晶体管，并且二极管包括并被设置以经由一第二字线晶体管而耦接此磁感测元件至一位线。此磁性金属层可被用以编程与读取此单元，并因此在此单元中不需要第二电流线路。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 有二字线 晶体管 磁性 存储 元件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性存储单元，包括：磁性金属层；第一字线晶体管，其包括有耦接至该磁性金属层的一端的漏极、耦接至第一位线的源极、以及耦接至第一字线的栅极；磁感测元件，其以一个邻近导体而与该磁性金属层分隔；第二字线晶体管，其包括有耦接至该磁感测元件的漏极、耦接至该第一位线的源极、以及耦接至第二字线的栅极；以及二极管，其耦接该磁感测元件与该第二字线晶体管的该漏极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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