[发明专利]与CMOS兼容的浅沟槽e－熔丝结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610142995.0 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1976035A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杰克·阿兰·迈德曼;许履尘;杨智超;威廉·罗伯特·汤迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/525;H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种包括位于半导体衬底(大块或绝缘体上半导体)中的沟槽内嵌入的至少一个e－熔丝的半导体结构。根据本发明，该e－熔丝与位于该半导体衬底内的掺杂剂区域电接触。本发明还提供了一种制造这种半导体结构的方法，其中该嵌入的e－熔丝基本上与沟槽隔离区域同时形成。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 兼容 沟槽 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：具有包含嵌入的e-熔丝的至少一个熔丝开口的半导体衬底，该嵌入的e-熔丝位于该至少一个熔丝开口的的侧壁和底壁部分上，并且在所述侧壁部分与位于所述半导体衬底内的邻近的掺杂区域电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
