[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610143136.3 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1959983A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | C·W·科布格尔三世;M·C·哈基;D·V·霍拉克;古川俊治;S·J·霍尔梅斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/52;H01L21/98;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制造三维集成电路芯片或晶片组件的方法，更具体地说，一种在将芯片定向成叠层之前在晶片上设置的芯片的处理。还公开了三维集成电路的制造，其中芯片密度可以很高并且在晶片仍是完整的并且通常为平面结构时进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括以形成多芯片叠层的重叠粘合关系的至少两个集成电路芯片或元件；包括：第一所述集成电路芯片或元件，具有包括多个介质和金属层的多层结构，由覆层构成第一表面并由柄层构成相反侧表面；以及第二所述集成电路芯片或元件，具有包括多个介质和金属层的多层结构，由覆层构成第一表面，所述第二集成电路芯片或元件处于颠倒位置并且以与所述第一集成电路芯片或元件的所述覆层表面接合的方式粘合固定，所述第二集成电路芯片或元件具有导体填充过孔，所述过孔将所述第一集成电路芯片或元件中的导体层连接到所述多芯片叠层的上表面，并且将所述第二集成电路芯片或元件中的导体层连接到所述多芯片叠层的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610143136.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
