[发明专利]形成精细图形的方法

摘要

在衬底上形成用于形成精细图形的第一、第二和第三层。在第三层上形成具有第一空间的第一掩模图形。形成具有第二空间的第三层图形，第二空间露出第二层。在具有第三层图形的第二层上形成第一牺牲层。在第一牺牲层上形成第四层。使用第二空间中的第二掩模图形形成包括第一和第二掩模图形的双掩模图形。在第一牺牲层上形成第二牺牲层。通过除去双掩模图形、第三层图形以及部分第一牺牲层形成具有第三空间的牺牲层图形。通过除去部分第一和第二层形成绝缘层图形。

主权项

1.一种形成精细图形的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一层、第二层和第三层；在第三层上形成具有第一空间的第一掩模图形，其中该第一空间被配置为部分地露出第三层；通过除去被第一空间露出的部分第三层，形成具有第二空间的第三层图形，该第二空间被配置为部分地露出第二层；在第一掩模图形的顶表面、第二空间的侧壁和底部以及第二层上形成第一牺牲层，其中第一牺牲层被配置为具有基本上均匀的厚度；在第一牺牲层上形成第四层，其中第四层被配置为形成第二掩模图形；通过部分地除去第四层，形成包括第一掩模图形和第二掩模图形的双掩模图形，以形成在第二空间中填充的第二掩模图形；在具有双掩模图形的第一牺牲层上形成第二牺牲层，其中第二牺牲层被配置为露出该双掩模图形的顶表面；通过除去双掩模图形、第三层图形以及第二掩模图形底下布置的第一牺牲层的第一部分，形成具有第三空间的牺牲层图形，其中第三空间部分地露出第二层，以及该牺牲层图形包括第一牺牲层的第二部分和第二牺牲层；以及通过除去第二层的第三部分和第一层的第四部分，形成绝缘层图形，其中通过第三空间露出第二层的第三部分，以及第一层的第四部分被布置在第三部分底下。