[发明专利]具有电容器的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有电容器的半导体器件，包括基底、隔离结构、存储器、电容器、介电层、下电极插塞与上电极插塞。基底包括第一区与第二区。隔离结构设置于基底中，至少于第一区定义出有源区。存储器设置于第二区，由基底起包括穿隧介电层、浮置栅极与控制栅极。电容器设置于第一区，包括下电极、电容介电层与上电极。下电极与浮置栅极是由相同的材料层形成的；上电极与控制栅极由相同的材料层所形成。介电层设置于下电极与基底之间，介电层的厚度大于穿隧介电层的厚度。下电极插塞设置于有源区上方，电连接下电极。上电极插塞则与上电极电连接。

主权项

1.一种具有电容器的半导体器件，包括：基底，包括第一区与第二区；多个隔离结构，设置于该基底中，至少于该第一区定义出有源区；存储器，设置于该第二区的该基底上，该存储器由该基底起包括穿隧介电层、浮置栅极与控制栅极；电容器，设置于该第一区的该基底上，包括：下电极，设置于该有源区的该基底上，该下电极与该浮置栅极是由相同的材料层形成的；电容介电层，覆盖住该下电极；以及上电极，设置于部分该电容介电层上，裸露出该有源区的部分该电容介电层，该上电极与该控制栅极是由相同的材料层形成的；介电层，设置于该下电极与该基底之间，该介电层的厚度大于该穿隧介电层的厚度；下电极插塞，设置于该有源区上方，电连接该下电极；以及上电极插塞，电连接该上电极。