[发明专利]氮化物半导体激光器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610143326.5 | 申请日： | 2006-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1960092A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 河镜虎;柳汉烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器装置及其制备方法。所述半导体激光器装置包括衬底以及顺序形成在所述衬底上的n－材料层、n－覆层、n－光波导层、有源区域、氮化物半导体层、金属层和金属基覆层。所述金属层和金属覆层呈脊状且在所述金属层和金属基覆层的侧壁和所述氮化物半导体层的暴露表面上形成电流阻挡层。在脊状金属层和电流阻挡层上形成p－电极层。所述半导体激光器装置利用金属基覆层取代AlxInyGa1－yN基p－覆层，由此防止了有源区域的劣化。所述半导体激光器装置还包括在所述金属基覆层和氮化物半导体层和p－GaN材料之间的薄金属层，由此减小其间的接触电阻。由此，能够制造具有可见光波长的高功率、低电压的半导体激光器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，包括：有源区域；形成在所述有源区域上的氮化物半导体层；以及形成在所述氮化物半导体层上的脊形金属层。
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