[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 200610143517.1 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1949484A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄于容;张俪琼;阙嘉慧 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，所述的制造方法包括下列步骤。首先，在一基板上形成多条扫描线。然后，在基板上依序形成一图案化介电层与一图案化半导体层，以覆盖部分扫描线。在基板上依序形成一图案化透明导电层与一图案化金属层，而图案化透明导电层与图案化金属层区定义出多条数据线、多个源极/漏极与多个像素电极。在基板上形成一保护层，然后在保护层形成一遮光材料层。图案化遮光材料层、保护层与图案化金属层，以曝露出像素电极的图案化透明导电层，并形成一遮光层。因此，开口率能够增加。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，所述的方法包括：在一基板上形成多条扫描线；在所述的基板上依序形成一图案化介电层与一图案化半导体层，以覆盖部分所述的扫描线；在所述的基板上依序形成一图案化透明导电层与一图案化金属层，而该图案化透明导电层与该图案化金属层定义出多条数据线、多个源极/漏极与多个像素电极；在所述的基板上形成一保护层；在所述的保护层上形成一遮光材料层；以及图案化所述的遮光材料层、所述的保护层与所述的图案化金属层，以曝露出所述的像素电极的所述的图案化透明导电层，并形成一遮光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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