[发明专利]熔断电路无效
| 申请号： | 200610143570.1 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101005069A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 大竹诚治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01C10/16;H01L21/82;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明的一种熔断电路中，作为熔断元件使用了由多晶硅膜或钨硅膜构成的电阻(5～9)，作为将电阻(5～9)的一部分或全部熔断的驱动元件，使用低耐压的MOS晶体管(10～14)。因而，通过使用MOS晶体管(10～14)，可以缩小驱动元件的形成区域，可以减小IC芯片的面积。本发明能够解决在现有的电流调整电路中，因将齐纳二极管作为熔断元件而使用高耐压的双极性晶体管，所以存在不能高效率地利用IC芯片面积的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断 电路 | ||
【主权项】：
1.一种熔断电路，具有：电阻，连接到电源电路；以及晶体管，对所述电阻提供电流，所述晶体管具有将所述电阻的一部分或全部熔断的电流能力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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