[发明专利]具有电容器和场效应晶体管的电路装置和利用它的显示设备有效
| 申请号： | 200610143639.0 | 申请日： | 2006-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1979857A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 盐谷俊介;池田外充 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L27/108;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有场效应晶体管和电容器的电路装置中，电容器被连接到场效应晶体管的栅极、源极和漏极中的至少一个电极，场效应晶体管具有由第一纳米线组成的沟道，电容器包括由具有导电率的第二纳米线组成的第一电极、局部覆盖第一电极的外围面的电介质层和覆盖电介质层的外围面的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 场效应 晶体管 电路 装置 利用 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种具有场效应晶体管和电容器的电路装置，其中电容器被连接到场效应晶体管的栅极、源极和漏极中的至少一个电极，场效应晶体管具有由第一纳米线组成的沟道，以及电容器包括由具有导电率的第二纳米线组成的第一电极、部分覆盖第一电极的外围面的电介质层和覆盖电介质层的外围面的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
