[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610143658.3 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1956152A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 东雅彦;久米聪;由上二郎;山成真市;丸山隆弘;菅野至 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，即使将金属膜加工，也可抑制在该金属膜下面形成的绝缘膜的减膜。在本发明的半导体装置的制造方法中，在栅极绝缘膜(3)上形成构成栅电极的金属膜(4)。然后，在加工该金属膜(4)时，通过使用预定药水的湿蚀刻处理来除去该金属膜(4)的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：(A)在半导体衬底上形成绝缘膜的工序；(B)在所述绝缘膜上形成构成栅电极的金属膜的工序；以及(C)通过使用预定药水的湿蚀刻处理来除去所述金属膜的一部分的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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