[发明专利]接垫的静电放电保护装置与其方法及结构有效
申请号: | 200610143679.5 | 申请日: | 2006-11-02 |
公开(公告)号: | CN101174622A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 赖纯祥 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H05F3/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种接垫的静电放电保护装置包括调节电路、骤回组件与控制电路。调节电路包括耦接至接垫的硅控整流器。硅控整流器包括第一二极管。骤回组件在不使用第二二极管的情况下,耦接至第一二极管的N极,在使用第二二极管的情况下,耦接至第二二极管的N极。控制电路耦接至第一二极管的N极,于正常操作模式下,控制电路是用以提供第一电压至该第一二极管的N极,以使第一二极管的N极收集多个带电载子,并使得硅控整流器不被导通,于静电放电模式下,控制电路不提供第一电压至第一二极管的N极,以使第一二极管的N极不收集带电载子。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 与其 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种接垫的静电放电保护装置,包括:一调节电路,包括:一硅控整流器,其耦接至该接垫,该硅控整流器包括一第一二极管;一骤回组件,其耦接至该第一二极管的N极;以及一控制电路,其耦接至该第一二极管的N极,于一正常操作模式下,该控制电路是用以提供一第一电压至该第一二极管的N极,以使该第一二极管的N极收集复数个带电载子,并使得该硅控整流器不被导通,于一静电放电模式下,该控制电路不提供该第一电压至该第一二极管的N极,以使该第一二极管的N极不收集该些带电载子,并使得该硅控整流器导通以使该接垫上的静电电荷经由该硅控整流器放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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