[发明专利]存储器结构及其操作方法有效
| 申请号： | 200610143832.4 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1976040A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | D·V·霍拉克;S·J·霍姆斯;C·W·科布格尔三世;古川俊治;M·C·哈吉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/12;H01L27/02;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 结构以及操作该结构的方法。所述结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一电极区和第二电极区；以及(c)在所述第一和第二电极区之间设置的第三电极区。响应于在所述第一和第三电极区之间施加的第一写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于随后在所述第一和第三电极区之间施加的预定读电压电势，读出电流在所述第一和第三电极区之间流动。另外，响应于在所述第二和第三电极区之间施加的第二写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于在所述第一和第三电极区之间施加的所述预定读电压电势，所述读出电流不在所述第一和第三电极区之间流动。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一电极区和第二电极区；以及(c)在所述第一和第二电极区之间设置的第三电极区，其中，存在第一写电压电势，以便响应于在所述第一和第三电极区之间施加的所述第一写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于随后在所述第一和第三电极区之间施加的预定读电压电势，读出电流在所述第一和第三电极区之间流动，其中，存在第二写电压电势，以便响应于在所述第二和第三电极区之间施加的所述第二写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于在所述第一和第三电极区之间施加的所述预定读电压电势，所述读出电流不在所述第一和第三电极区之间流动，以及其中存在力，以便响应于施加到所述第三电极区的所述力，所述第三电极区改变其自身形状，并且随后即使所述力不再存在，所述第三电极区也仍保持其改变了的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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