[发明专利]半导体集成电路装置无效

专利信息
申请号: 200610143912.X 申请日: 2006-11-02
公开(公告)号: CN101030575A 公开(公告)日: 2007-09-05
发明(设计)人: 荒井胜也;甲上岁浩;薮洋彰 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H02H9/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体集成电路装置,包括:被保护输入电路(4),其连接于电源线(1)与GND线(2)之间;第一电阻体(5),其一个端子与输入PAD(3)连接,另一个端子与输入电路(4)的输入端子连接;第一静电放电保护电路(6),其包括一个端子与电源线(1)连接,另一个端子与输入电路(4)的输入端子连接的第一电压降低电路(15);和第二静电放电保护电路(7),其一个端子与输入电路(4)的输入端子连接,另一个端子与GND线(2)连接且包括第二电压降低电路(16)。这样,得到对应于工艺的细微化具有满足电涌试验标准的ESD保护能力的半导体集成电路装置。
搜索关键词: 半导体 集成电路 装置
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,包括:被保护电路,其连接于电源线与接地线之间;第一电阻体,其一个端子与外部输入端子连接,另一个端子与所述被保护电路的输入端子连接;第一静电放电保护电路,其包括一个端子与所述电源线连接、另一个端子与所述被保护电路的输入端子连接的第一电压降低电路;和第二静电放电保护电路,其一个端子与所述被保护电路的输入端子连接、另一个端子与所述接地线连接,包括第二电压降低电路。
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