[发明专利]双极晶体管和背栅晶体管的结构和方法有效
| 申请号： | 200610143976.X | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1964057A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 艾德华·约瑟夫·诺瓦克;小威廉·F.·克拉克;安德斯·布赖恩特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露了一种包括衬底的结构，该衬底包括位于本体层上的绝缘体层，和位于衬底第一区域的双极晶体管，该双极晶体管包括位于绝缘体层内的发射区的至少一部分。被披露的另一种结构包括位于衬底第一区域的倒置双极晶体管，该衬底包括位于本体层上的绝缘体层，该倒置双极晶体管包括发射区和位于衬底第二区域的背栅晶体管，其中背栅晶体管的背栅导体和发射区的至少一部分位于材料的同一层。也披露了形成同时包括双极晶体管和背栅晶体管的结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：包括位于本体层上的绝缘体层的衬底；和衬底的第一区域中的双极晶体管，该双极晶体管包括绝缘体层中的发射区的至少一部分。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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