[发明专利]纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法无效
申请号: | 200610144006.1 | 申请日: | 2006-11-24 |
公开(公告)号: | CN1995437A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
发明(设计)人: | 李敬锋;刘玮书;张波萍 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京科技大学 |
主分类号: | C22C45/00 | 分类号: | C22C45/00;C22C1/05;B22F3/16;B22F9/04;H01L35/18;H01L35/34 |
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地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法,属于新型能源材料技术领域。本方法是将Co、Sb以及掺杂元素单质粉末按照化学式:Co1-xMxSb3+ySiC进行配料,然后通过球磨得到均匀的微细粉末。利用放电等离子烧结在250~600℃下反应合成具有纳米SiC颗粒分散的块体CoSb3基热电材料。该方法的特点在于:利用放电等离子烧结直接合成CoSb3相,并利用弥散分散的SiC抑制CoSb3的晶粒生长,最终得到具有细晶组织的纳米SiC分散的CoSb3基热电材料。弥散纳米颗粒和细晶组织能增加声子散射降低热导率,从而获得更好热电性能。同时,由于纳米颗粒弥散增强,而使其具有更好的机械和加工性能。 | ||
搜索关键词: | 纳米 sic 颗粒 复合 cosb sub 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料,其特征在于:该热电材料具有以下化学式:Col-xMxSb3+ySiC,其中:x的取值范围为0≤x≤0.3,0<y≤2.0%,y为SiC占Co1-xMxSb3基体的质量百分数;M为掺杂过渡金属元素;所述的纳米SiC颗粒弥散分布于CoSb3基热电材料基体内。
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