[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610144198.6 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1971389A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈旭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/133;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：绝缘衬底、栅线、栅电极、栅绝缘层、硅岛、源电极、漏电极、数据线、钝化层、及像素电极，其中一透明膜层，形成在像素电极上方，形状与像素电极形状相同。本发明同时公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法，其在完成像素电极层沉积后再沉积一层透明膜层，通过掩模版掩模、曝光和刻蚀得到像素电极，并同时保留像素电极上方的透明膜层。本发明的改良结构和采用制造该改良结构的工艺，能够有效改善摩擦工艺造成的各种Mura(一种画面品质不良)现象，从而提高对比度，能够增大工艺冗余，延长材料使用寿命，减少工艺缺陷，提高画面品质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示器 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：绝缘衬底、栅线、栅电极、栅绝缘层、硅岛、源电极、漏电极、数据线、钝化层、及像素电极，其特征在于：一透明膜层，形成在像素电极上方，形状与像素电极形状相同。
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